SiC陶瓷電路板 以其優(yōu)異的熱性能和電氣性能以及承受高溫和惡劣環(huán)境的能力而聞名。它們用于高溫電子和電力電子

SC器件的新待性以及移動(dòng)應(yīng)用的功率密度要求對功率器件的封裝技術(shù)提出了新的挑戰(zhàn)。現(xiàn)有功率器件的封裝技術(shù)主要是在絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體營

(MOSFET)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，并且一直在不斷發(fā)展。然而，這些逐步改進(jìn)還不足以充分發(fā)揮SiC器件的性能，因此封裝技術(shù)需要革命性的進(jìn)步。SiC器件的本質(zhì)特性決定了其具有

低內(nèi)阻、耐高壓、高頻、高結(jié)溫等優(yōu)異指標(biāo)，在移動(dòng)應(yīng)用功率密度不斷提高的壓力下，SC器件對封裝技術(shù)提出了新的要求和挑戰(zhàn)。

現(xiàn)有封裝技術(shù)的核心可以概括為焊接和鍵合技術(shù)，我一般將其稱為連接或鍵合。對于電源模塊來說，與dierre直接相關(guān)的連接稱為芯片的近端連接，而其他連接一般稱為芯片的遠(yuǎn)揣

連接。關(guān)于連接，大多數(shù)文獻(xiàn)將它們混合為 Atacth、contact Conection或 Join、joining等。有些人還使用 Bondng來指代所有連接(組合)。焊接用于芯片底部與基板之間的芯片陽

著，或用于基板與散熱基板之間的系統(tǒng)連接，主要得接方法有傳統(tǒng)的SAC (SnaCuSoldemng)，近年來又發(fā)展了各種釬怪和擴(kuò)勤悍，接合用于將蘇片頂部的引線連接到基板或從基板

連接到模塊框架、常用的材料有金、銀、銅、鋁等，形狀為線狀或條狀，采用超聲波或熱壓等方法。過去，功率芯片的表面金屬化材料通常為A1或A|樓雜少量S和C。通過與基材表面

(通常是銅)焊接形成的金屬間化合物形成芯片粘接層。基板兩側(cè)的金屬常為Cu，通過焊接與散熱基板連接。散熱基板的材質(zhì)通常為鋁碳化硅(AISiC)或表面鍍鎳的銅。

這些連接器件的性能在早期的IGBT中可以滿足大多數(shù)應(yīng)用的要求，但近年來它們越來越落后于半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。目前，功率器件封裝枝術(shù)的核心工藝已從鋁基轉(zhuǎn)向銅基，無論是前期

研究還是實(shí)際產(chǎn)品應(yīng)用都取得了重大進(jìn)展，除了基于現(xiàn)有技術(shù)的粘接和悍接連接類型外，銅燒結(jié)也取得了長足的進(jìn)步。但就導(dǎo)電率導(dǎo)熱率，剪切力、熔點(diǎn)等指標(biāo)而言，這些逐步改進(jìn)還

不夠，所以近年來行業(yè)前沿研究大多轉(zhuǎn)向銀燒結(jié)。

SIC材料具有較高的導(dǎo)熱系數(shù)，是高溫電路板的理想選擇，如汽車電子、航空航天電子等領(lǐng)域。此外，S)℃C材料還具有耐高溫、低能耗等優(yōu)點(diǎn)。但SIC材料的成本較高，硬度也較高，

加工難度較大。

即使在1400℃的高溫下，SiC也具有良好的強(qiáng)度、極高的導(dǎo)熱率和電阻、良好的半導(dǎo)體導(dǎo)電性以及高硬度。

SiC與金剛石相同，只是碳的比例不同。因此，SICPCB具有極高的熱阻。對于 SiCPCB，在 1000℃ 下工作很容易。這就是為什么它們可以用于激光領(lǐng)域。

SiC具有Si的特性，因此具有接近半導(dǎo)體的特性。換句話說，與其他陶瓷PCB不同，SiCPCB不具有高絕緣性能。

碳化硅PCB

基材類型:碳化硅(SiC)

基材厚度:0.1-2.0mm導(dǎo)電層:銅、鎳、金

金屬層厚度:35-400um

表面處理:金色

金屬:1L

線寬:0.25mm

應(yīng)用:激光